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VMO550-01F中文资料

  • 大小:46.68KB
  • 厂家:IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述:HiPerFET MOSFET Module
  • 标准包装:2
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:HiPerFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:590A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.1 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):6V @ 110mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:2000nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:50000pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2200W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:Y3-DCB
  • 供应商设备封装:Y3-DCB
  • 包装:散装

VMO550-01F供应商

更新时间:2023-01-11 04:55:19
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